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VVZB 135
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I R , I D
V R = V RRM ;
V R = V RRM ;
T VJ = 25°C
T VJ = 150°C
0.1 mA
20 mA
V F , V T
I F = 80 A;
T VJ = 25°C
1.43
V
V T0
r T
for power-loss calculations only
T VJ = 150°C
0.85
7.1
V
m Ω
V GT
I GT
V D = 6 V;
V D = 6 V;
T VJ
T VJ
T VJ
T VJ
= 25°C
= -40°C
= 25°C
= -40°C
1.5
1.6
78
200
V
V
mA
mA
V GD
I GD
T VJ = T VJM ;
T VJ = T VJM ;
V D = 2 / 3 V DRM
V D = 2 / 3 V DRM
0.2
5
V
mA
I L
V D = 6 V; t G = 10 μs;
450
mA
di G /dt = 0.45 A/μs; I G = 0.45 A
I H
t gd
T VJ = T VJM ; V D = 6 V; R GK = ∞
V D = ? V DRM ;
100
2
mA
μs
di G /dt = 0.45 A/μs; I G = 0.45 A
t q
T VJ = T VJM ; V R = 100 V;
150
μs
V D = 2 / 3 V DRM ; t P = 200 μs;
dv/dt = 15 V/μs; I T = 20 A;
-di/dt = 10 A/μs
R thJC
R thCH
per diode
0.2
0.65 K/W
K/W
V BR(CES)
V GS = 0 V; I C = 0.1 mA
1200
V
V GE(th)
I CES
I C = 8 mA
V CE = 1200 V; T VJ =
25°C
4.5
6.45
0.1
V
mA
V CE = 0,8 ? V CES ; T VJ = 125°C
0.5
mA
V CEsat
t SC (SCSOA)
RBSOA
V GE = 15 V; I C = 100 A
V GE = 15 V; V CE = 900 V; T VJ = 125°C
V GE = 15 V; V CE = 1200 V; T VJ = 125°C;
3.5
10
100
V
μs
A
clamped inductive load; L = 100 μH;
R G = 22 Ω
C ies
t d(on)
t d(off)
E on
E off
R thJC
R thCH
V CE = 25 V; f = 1 MHz, V GE = 0 V
V CE = 720 V; I C = 50 A
V GE = 15 V; R G = 22 Ω
Inductive load; L = 100 μH;
T VJ = 125°C
3.8
150
680
6
5
0.1
nF
ns
ns
mJ
mJ
0.33 K/W
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
2-5
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